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Technische Details SIRS700DP-T1-RE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 102A, Pulsed drain current: 350A, Power dissipation: 84W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 130nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SIRS700DP-T1-RE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 102A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 84W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8 |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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SIRS700DP-T1-RE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R |
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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIRS700DP-T1-RE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 84W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 84W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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| SIRS700DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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| SIRS700DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| SIRS700DP-T1-RE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R
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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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