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SIS412DN-T1-GE3

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Produktcode: 173697
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.39 EUR
15000+0.37 EUR
21000+0.36 EUR
30000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.89 EUR
275+0.63 EUR
278+0.61 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.24 EUR
111+0.76 EUR
167+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.27 EUR
191+0.89 EUR
198+0.82 EUR
275+0.57 EUR
278+0.55 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay sis412dnnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.49 EUR
185+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
auf Bestellung 50183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sis412dn_new.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 10862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0015358846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 26548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.42 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.39 EUR
15000+0.37 EUR
21000+0.36 EUR
30000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
198+0.89 EUR
275+0.63 EUR
278+0.61 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+1.24 EUR
111+0.76 EUR
167+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
139+1.27 EUR
191+0.89 EUR
198+0.82 EUR
275+0.57 EUR
278+0.55 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 sis412dnnew.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
119+1.49 EUR
185+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
auf Bestellung 50183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 10862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIS412DN-T1-GE3 VISH-S-A0015358846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 26548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH