SIS412DN-T1-GE3
Produktcode: 173697
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Weitere Produktangebote SIS412DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 1257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 2232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 1257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
auf Bestellung 50183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 11262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 26828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |