SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.33 EUR |
| 6000+ | 0.32 EUR |
| 9000+ | 0.30 EUR |
| 21000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIS412DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.34 EUR bis 0.95 EUR
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
auf Bestellung 29142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 36403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS412DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SIS412DN-T1-GE3 Produktcode: 173697
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