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BGA

auf Bestellung 25 Stücke:

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SIS-163-U

auf Bestellung 1800 Stücke:

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SIS-163U

auf Bestellung 1800 Stücke:

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SIS-6801-A1-AX

auf Bestellung 907 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS03VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 4.5W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS03VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 5.4W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS03VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 7.5W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS03VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 9.9W

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS03VY

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.2V OUT 8.4W

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SIS044200SPL-1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS07VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 10.5W

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS07VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 12.6W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS07VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 17.5W

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SIS07VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 23.1W

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS106DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 20895 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	1.3 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

auf Bestellung 4890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
14+	1.33 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS108DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 15131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS108DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 15131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS108DN-T1-GE3

MOSFETs Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 24022 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS110DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 26847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS110DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 94257 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.45 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 19507 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.25 EUR
21+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS110DN-T1-GE3

auf Bestellung 26847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.34 EUR
9000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS112-12VDC

PCB Power Relay

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	30.95 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS112LDN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS112LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS112LDN-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 1415 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.35 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.09 EUR
19+	0.94 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS112LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS112LDN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 8.8A/POWERPAK 1212-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS1206L-4R6FT

auf Bestellung 142 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS126DN-T1-GE3

MOSFETs POWER P AKNC HAN80V

auf Bestellung 5970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.92 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS126DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 477 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V

auf Bestellung 5169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.9 EUR
14+	1.28 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS126DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 477 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS128LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

auf Bestellung 2736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.41 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS128LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1019 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

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SIS128LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS128LDN-T1-GE3

MOSFETs POWER P AKNC HAN80V

auf Bestellung 16008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIS150-40-TG-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 150000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4383.53 EUR

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SIS150E

auf Bestellung 21 Stücke:

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SIS160

auf Bestellung 150 Stücke:

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SIS162U

LFBGA

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SIS163

auf Bestellung 50 Stücke:

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SIS163A

auf Bestellung 700 Stücke:

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SIS163A1DA

05+

auf Bestellung 1020 Stücke:

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SIS163U

auf Bestellung 227 Stücke:

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SIS163UZ

0750+/

auf Bestellung 1177 Stücke:

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SIS168C1AD

auf Bestellung 188 Stücke:

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SIS175-40-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3519.75 EUR

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SIS175-40-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3372.62 EUR

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SIS175-40-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3856.62 EUR

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SIS175-40-TG-N5

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4341.36 EUR

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SIS175-50-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4012.69 EUR

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SIS175-50-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4012.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS175-50-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4109.49 EUR

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SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

auf Bestellung 11837 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.45 EUR
12+	1.55 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SIS176LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 70V

auf Bestellung 35519 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.51 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.64 EUR
6000+	0.6 EUR
9000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS178LDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

auf Bestellung 37514 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.61 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.59 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS178LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1173 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

auf Bestellung 2802 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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SIS178LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS180

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

auf Bestellung 14940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.5 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS184DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS184DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 28437 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.02 EUR
3000+	0.98 EUR
9000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.03 EUR
6000+	0.98 EUR
9000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS184DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS184DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65.3 A, 5800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS184LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS184LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.4 A, 5400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS184LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

auf Bestellung 17550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	2.29 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.18 EUR
3000+	1.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

auf Bestellung 5997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.73 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SIS184LDN-T1-GE3

auf Bestellung 5534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS2038

DIP-471 SIS4047

auf Bestellung 112240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS2038 DIP-471 SIS4047

auf Bestellung 91240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS2038DIP-471

auf Bestellung 91240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS2038DIP-471SIS4047

auf Bestellung 110329 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS212-12VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	23.21 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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SIS212-12VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	23.06 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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SIS212-12VDC SEN

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	35.11 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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SIS212-24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.17 EUR
10+	19.25 EUR
50+	18.36 EUR
100+	17.47 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SIS212-24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.12 EUR
10+	19.2 EUR
50+	18.31 EUR
100+	17.43 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SIS212-24VDC SEN

Power Switching Relay

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	35.24 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	31.77 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	33.4 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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SIS212-5VDC SEN

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	35.95 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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SIS22224V

ELESTA

0947

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS300

00+

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301

00+

auf Bestellung 296 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301-A1

TQFP100

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301B

auf Bestellung 22300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SiS301B0EF-T-5

2002

auf Bestellung 587 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SiS301BO

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301C2CA

03+

auf Bestellung 1355 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301DH

01+

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301DHMV

auf Bestellung 7323 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301LVD0

auf Bestellung 214 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301LVMV

auf Bestellung 214 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301LVMVBO

auf Bestellung 542 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301MV

TQFP

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301MV

auf Bestellung 449 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS301MV

02+

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS301MVBOFF

02+

auf Bestellung 3745 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301MVC

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS301VB

QFP100

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS302ELC

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302ELV

05+

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302ELV

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302ELVE

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302ELVE0

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS302ELVMV

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS302ELVZ

06+

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302ELVZE0CY

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302LV

0602+

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302LVE0

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302LVE0CY-L-5

2004

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302LVEOBF(CM.01)

auf Bestellung 2884 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302LVMV

auf Bestellung 2435 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302LVMV

02+

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS302LVZE0CY-5

QFP128

auf Bestellung 361 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS305

02+

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS305

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS305DOAA

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS307DV

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS307DVAOAA

auf Bestellung 20949 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS307ELV

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS307ELVBO BA

08+

auf Bestellung 770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS307ELVBOBA

auf Bestellung 770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS315

02+

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS315AOGA

auf Bestellung 1098 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS315E

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS316MX

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS322DNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS322DNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 3875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS330DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS333A1CA

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS333A1CACM02

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS334DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS4001X01-3070

auf Bestellung 3981 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS402DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 13152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	2.55 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.24 EUR
6000+	1.23 EUR

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SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

auf Bestellung 4271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.42 EUR
10+	2.85 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4047DIP-471SIS2038

auf Bestellung 110329 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS406DN-T1-E3

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS406DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 105380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS406DN-T1-GE3

auf Bestellung 71200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.011 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2389 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS406DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS406DN-T1-GE3

auf Bestellung 2389 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 13189 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.28 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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SIS407ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.009 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2229 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

auf Bestellung 14026 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SIS407ADN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS407ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39.1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.55 EUR
6000+	0.51 EUR
9000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS407ADN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 8281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.82 EUR
10+	0.81 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SIS407DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS407DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 28126 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.97 EUR
10+	1.49 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.77 EUR
3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

auf Bestellung 43289 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
11+	1.62 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SIS407DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 9807 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

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SIS40C3208-20

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS40C3208-20

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 490 Stücke:

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89+	1.62 EUR
100+	1.49 EUR
250+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 89

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SIS410DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 597 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

auf Bestellung 6315 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.45 EUR
12+	1.54 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS410DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 29501 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.86 EUR
6000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS410DN-T1-GE3

auf Bestellung 278 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS412DN

auf Bestellung 1556 Stücke:

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SIS412DN (SIS412DN-T1-GE3) Transistor
Produktcode: 63212

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SIS412DN-T1-E3

09+ QFN-8

auf Bestellung 42 Stücke:

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SIS412DN-T1-E3
Produktcode: 56990

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SIS412DN-T1-E3

QFN-8 09+

auf Bestellung 42 Stücke:

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SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.31 EUR
15000+	0.29 EUR
21000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS412DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 17022 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	0.97 EUR
10+	0.59 EUR
100+	0.47 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS412DN-T1-GE3
Produktcode: 173697

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 34881 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.44 EUR
20+	0.9 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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SIS412DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 32433 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SiS412DNS412

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS413DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 6236 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.27 EUR
9000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS413DN-T1-GE3
Produktcode: 151913

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

auf Bestellung 24662 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.8 EUR
16+	1.12 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS413DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.42 EUR
9000+	0.4 EUR
15000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS413DN-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 41247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.29 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS414DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS414DN-T1-GE3

MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET

auf Bestellung 5061 Stücke:

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SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

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SIS415DNT-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 22397 Stücke:

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4+	0.85 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	0.97 EUR
171+	0.81 EUR
175+	0.76 EUR
210+	0.61 EUR
250+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 148

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SIS415DNT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1529 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.84 EUR
175+	0.79 EUR
210+	0.63 EUR
250+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 171

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SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

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SIS415DNT-T1-GE3

auf Bestellung 1529 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

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SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

auf Bestellung 1780 Stücke:

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212+	0.68 EUR
255+	0.54 EUR
256+	0.52 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 212

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SIS422-12VDC

Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 100 Stücke:

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25+	29.11 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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SIS422-12VDC

Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	52.73 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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SIS424DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V

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SIS424DN-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS410DN-T1-GE3

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SIS426DN-T1-GE3

VISHAY QFN 11+

auf Bestellung 110 Stücke:

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SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS426DN-T1-GE3

auf Bestellung 1620 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.38 EUR
9000+	0.36 EUR
15000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS427EDN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

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SIS427EDN-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 3775 Stücke:

Lieferzeit 288-292 Tag (e)

3+	1.11 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.45 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

auf Bestellung 17474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
18+	1.03 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS429DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS429DNT-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.23 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS430DN-T1-GE3

MOSFET 25V 35A 52W

auf Bestellung 2471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.55 EUR
9000+	0.54 EUR
15000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS434DN-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 51557 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS434DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6879 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

auf Bestellung 22024 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.88 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS434DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 7600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6879 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS434DN-T1-GE3
Produktcode: 209118

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SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 2940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

232+	0.62 EUR
234+	0.59 EUR
284+	0.47 EUR
287+	0.45 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 232

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SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

auf Bestellung 2147 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.9 EUR
23+	0.79 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS435DNT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T

auf Bestellung 4082 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.08 EUR
10+	0.94 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 2940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	0.67 EUR
232+	0.6 EUR
234+	0.57 EUR
284+	0.45 EUR
287+	0.43 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 213

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SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS436DN-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS436DN-T1-GE3

MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS438DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 4487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

auf Bestellung 18311 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
16+	1.17 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS438DN-T1-GE3
Produktcode: 186242

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SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SiS438DN-T1-GE3

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS438DN-T1-GE3

auf Bestellung 4487 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SiS438DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 5403 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.51 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS439DNT-T1-GE3

MOSFET -30V 11mOhm@-10V -50A P-CH

auf Bestellung 4456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4406DN-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 11382 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIS4406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 62.8 A, 4750 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4410DC-T1

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	0.83 EUR
175+	0.79 EUR
178+	0.75 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 172

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
directShipCharge: 25

auf Bestellung 15244 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

170+	0.84 EUR
172+	0.8 EUR
175+	0.76 EUR
178+	0.72 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 170

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.01 EUR
6000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 19951 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	1.25 EUR
120+	1.15 EUR
250+	1.06 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.92 EUR
2500+	0.85 EUR
5000+	0.79 EUR
10000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 115

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

auf Bestellung 27135 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.61 EUR
10+	2.3 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS443DN-T1-GE3-X

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS444DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS444DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 3472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.05 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS447DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS447DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 9835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 11274 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

186+	0.77 EUR
188+	0.74 EUR
201+	0.66 EUR
243+	0.53 EUR
250+	0.5 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 186

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SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

auf Bestellung 3830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.44 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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SIS447DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 13736 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.51 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SIS447DN-T1-GE3

auf Bestellung 9835 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 11274 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

184+	0.78 EUR
186+	0.74 EUR
188+	0.71 EUR
201+	0.64 EUR
243+	0.51 EUR
250+	0.48 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 184

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SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS448DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS452DN-T1-GE3

MOSFET 12V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 4171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

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SIS454DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 3700 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

auf Bestellung 8731 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.58 EUR
14+	1.28 EUR
100+	1 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS454DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 18326 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.3 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.76 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.65 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS456DN-T1-GE3

MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET

auf Bestellung 3853 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
6000+	0.52 EUR
9000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 9451 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

auf Bestellung 10520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.16 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604DN-T1-GE3

auf Bestellung 9451 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604DN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604LDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.1A

auf Bestellung 5491 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.39 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 5437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

auf Bestellung 14527 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
16+	1.16 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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SIS4604LDN-T1-GE3

auf Bestellung 5437 Stücke:

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SIS4608DN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

auf Bestellung 2850 Stücke:

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3+	1.34 EUR
10+	1.19 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.7 EUR
3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

auf Bestellung 5855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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SIS4608DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5446 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS4608DN-T1-GE3

auf Bestellung 5446 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

auf Bestellung 5985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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SIS4608LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5952 Stücke:

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SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

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SIS4608LDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 12.6A

auf Bestellung 2195 Stücke:

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2+	1.8 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS4608LDN-T1-GE3

auf Bestellung 5952 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS4634LDN

SIS4634LDN

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SIS4634LDN-T1-GE3

MOSFET Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 24 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.11 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS463EDC-T1

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS468DN

MOSFETs

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SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS468DN-T1-GE3
Produktcode: 148149

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 43111 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS468DN-T1-GE3

MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 4453 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.9 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.87 EUR
6000+	0.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 39371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

auf Bestellung 4695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.13 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS472ADN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 5895 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.79 EUR
10+	0.67 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.27 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS472ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS472ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS472ADN-T1-GE3

auf Bestellung 2925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS472BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

auf Bestellung 5450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS472BDN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 4247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.36 EUR
9000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.39 EUR
9000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS472DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.06 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

auf Bestellung 17606 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.09 EUR
19+	0.95 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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SIS476DN

MOSFETs

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SIS476DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS476DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.72 EUR
6000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS476DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 64472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.16 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.7 EUR
6000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 8473 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.09 EUR
13+	1.46 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS478DN-T1-GE3

auf Bestellung 6140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS478DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

auf Bestellung 9089 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS488DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.59 EUR
6000+	0.55 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS488DN-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIS4

auf Bestellung 73006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.45 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.66 EUR
9000+	0.64 EUR
24000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS488DN-T1-GE3

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS496EDNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

569+	0.25 EUR
800+	0.17 EUR
893+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 569

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS496EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5101

07+

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5101

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5101B30T-TO

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5102

07+

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5102

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5102AOAT-F

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5102QP1HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5102QP1HT1G

ON Semiconductor

IC Smart Hotplug High Side

auf Bestellung 4630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	19.47 EUR
1501+	13.41 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5102QP2HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5103

07+

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5103

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5103B1BT

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5107

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5131

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5142D2R2G

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5142D2R2G

onsemi

Description: PRINTER POWER CONTROL
Packaging: Bulk

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2019+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2019

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5159A-F-A.SIS85

auf Bestellung 1009 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS530

BGA

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS530

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS530(A3)

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS530A2

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS530A2 DW

BGA

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS540

BGA

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS540

00+

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS540A1

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS540A1CX-AB-1

BGA

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS540A1DX-AB-1

BGA

auf Bestellung 547 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS550

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5501

1995

auf Bestellung 209 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5502

1995

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5502

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS55033C

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5511

auf Bestellung 263 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS5511B4ET-F-8

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5511E3DT

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS5511F2CT-F-0

1996

auf Bestellung 264 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5512

QFP

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5512

1996

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5512B1BT

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS5512DCA2

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5513

1996

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5513A6NT

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5513A8IT

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS5513A8NS-F-O

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5513A8NS-FO

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5513ABNS-F-0

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS551E3DT

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS552LV-A4

03+

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS5571

1998

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5571B1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5571B1CE-B-O

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5581

97+

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5581

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS5582

1998

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS5591

BGA

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS5591

1998

auf Bestellung 1379 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS5591A2

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5591A2CR-B-2

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS5595

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5595

07+

auf Bestellung 1077 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5595

QFP208

auf Bestellung 109 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5595

00+

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5595

QFP

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5595(B2)

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5595B2

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5597B2CR

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5598

1998

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5598

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5598B

BGA

auf Bestellung 372 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5598B6

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5598B60F

BGA

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5598B60F-B-O

auf Bestellung 502 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5598BC2CR

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS5600

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5600A0

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5600B2DF-B-0

BGA

auf Bestellung 5819 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS57051

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5712DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5712DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 75 V

auf Bestellung 2340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.25 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS5712DN-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 12198 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.03 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.05 EUR
3000+	0.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS590DN-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 4A N/P CH FET

auf Bestellung 2525 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.92 EUR
10+	1.28 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.65 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS590DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS590DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS590DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.197ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.197ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.88 EUR
11+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS606BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.94 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS606BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

auf Bestellung 6370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 114321 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.98 EUR
3000+	0.86 EUR
6000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS612EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS620

auf Bestellung 1442 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS620

BGA

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS620

1999

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6202

QFP

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6205

96+

auf Bestellung 1488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6205A5FT

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6205A5FT-F-6

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6205B2MS-F-0

1996

auf Bestellung 2675 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS620A2FX

99+

auf Bestellung 2644 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS620A2HF-CB-1

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6215

9942

auf Bestellung 356 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6215

QFP

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS626DN-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630

00+

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630BODX

BGA

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630E

auf Bestellung 212 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630E

07+

auf Bestellung 1010 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630E

02+

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630ET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630ET

07+

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630ET

03+

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630S

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630ST

BGA 08+

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630ST

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630ST

08+ BGA

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS630ST

02+

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6326

01+

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6326

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6326

QFP

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6326AGP

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6326AGP

QFP

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6326AGP

N/A

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6326AGP

00+

auf Bestellung 214 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6326DVD

00+

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS635A0

BGA

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS645

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS645

07+

auf Bestellung 1053 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS645A2EA-AB-1

BGA

auf Bestellung 907 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS645A2EA-DB-1

BGA

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS645DX

02+ BGA

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS645DX

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS646A0

BGA702

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648

07+

auf Bestellung 1049 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648

05+

auf Bestellung 2308 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648-C0

2004

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648A2CA

BGA

auf Bestellung 3360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648A2CA-AH-1

BGA

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648A2CA-DH-1

BGA

auf Bestellung 3360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648BODA-DH-1

BGA

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648FX

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648FX

2003

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648UA

BGA

auf Bestellung 78 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS648UAA2CA-AH-1

BGA

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS648UAA2CA-DH-1

BGA

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS649

auf Bestellung 984 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS649BO DA

BGA

auf Bestellung 1240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS649BODA

09+

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS650

07+

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS650

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS650A1

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS650GL

auf Bestellung 537 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS650GX

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS650GX

07+

auf Bestellung 1063 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS650GX

02+ BGA

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651

0415

auf Bestellung 74 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651

BGA

auf Bestellung 2215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651

03+

auf Bestellung 81 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651

07+

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651-BO

MOT

QFP132

auf Bestellung 2215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651A1

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651B0DA

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651BO

auf Bestellung 3181 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651UA

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS651Z

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6532

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS655

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS655A0

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS655B0

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS655FX

00+

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS661

auf Bestellung 412 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS661FX

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS661FX

06+

auf Bestellung 1109 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS661FX B1

03+

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS661FXZ

0611

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS661GX

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS661GX

09+

auf Bestellung 353 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS661MX

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS671

auf Bestellung 792 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS671 A1 BD

BGA

auf Bestellung 5366 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS671A1BD

auf Bestellung 264 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS671BD/A1

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS671DX

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS671DXA1

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS671FXA1

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS672

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6801

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6801A1AX

QFP100

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6801A1AX

99+

auf Bestellung 2359 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6801A1BX

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6801A1BX-F-0

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS6801AIAX

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS681

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS698DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.51 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS730S

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS730S-B1-DT

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS740

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS740

BGA

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS740

2002

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS740A1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS741

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS741CX

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS741GX

auf Bestellung 2120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS741GX/A3

auf Bestellung 810 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS741GXA3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS741GXЎЎA3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS745

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS745A1

02+

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS746

auf Bestellung 906 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS746FX

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS748AO AA

BGA

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS755

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS756

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS756A2

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS760

BGA

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS760

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS7600

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS760GXLV

auf Bestellung 211 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS760LV

05+

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS761GX

auf Bestellung 201 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS761GX A1BA-FB-1

BGA

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS761GX A1CA-FB-1

BGA

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS761GXA1BA-FB-1

05+

auf Bestellung 3410 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS776DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts

auf Bestellung 2675 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS780DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS780DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 7450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.58 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.41 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS782DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 2971 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS782DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS8132

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS8205

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS8205A

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 8980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS822DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS82C450

89+

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS82C451

auf Bestellung 3256 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS82C452

auf Bestellung 4580 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS82C452A

auf Bestellung 859 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS82C50A

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS82C50B

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS82C605

auf Bestellung 859 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS8333B-F-B000

auf Bestellung 202 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS83C611

07+

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS83C611

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS83C747

auf Bestellung 660 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85-100

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85-2R2PF

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85-3R3

auf Bestellung 22400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85-470

auf Bestellung 3466 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85-6R8

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85-6R8M

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS8513C-F-A000

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C206

PLCC84

auf Bestellung 341 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C206

N/A

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C402

1993

auf Bestellung 119 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C407

1994

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C407QT

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C420

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C461

1993

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C496PR

auf Bestellung 414 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C497NU

auf Bestellung 404 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C501

1995

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C502

QFP208

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C502

1995

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C502NR

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS85C503

1995

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 46526 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.22 EUR
13+	1.39 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.54 EUR
9000+	0.52 EUR
15000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS862ADN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

auf Bestellung 83502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.94 EUR
10+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.56 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS862DN

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1903 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.09 EUR
168+	0.82 EUR
170+	0.78 EUR
197+	0.65 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 131

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS862DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 31023 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1903 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

168+	0.85 EUR
170+	0.81 EUR
197+	0.68 EUR
250+	0.64 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 168

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SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

auf Bestellung 22750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.59 EUR
11+	1.64 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR
6000+	0.65 EUR
9000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS862DN-T1-GE3

auf Bestellung 31023 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS862DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 31579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIS888DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 14684 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

auf Bestellung 7062 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.24 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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SIS888DN-T1-GE3

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 4012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.36 EUR
10+	2.16 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.07 EUR
3000+	0.97 EUR
6000+	0.93 EUR

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SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.92 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS888DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 14684 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR
15000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 39W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 14615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890ADN-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

auf Bestellung 63821 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.61 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.0255 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

auf Bestellung 30340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.18 EUR
13+	1.37 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890DN

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 14367 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 38186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.96 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.94 EUR
3000+	0.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890DN-T1-GE3

auf Bestellung 14367 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.8 EUR
6000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 504 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

126+	1.14 EUR
127+	1.09 EUR
130+	1.02 EUR
164+	0.78 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 126

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS892ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 25254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 41173 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.33 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.74 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS892ADN-T1-GE3

auf Bestellung 25214 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 5378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 6889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.99 EUR
13+	1.4 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SIS892DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS892DN-T1-GE3

MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

auf Bestellung 3401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.33 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.04 EUR
3000+	0.96 EUR
6000+	0.91 EUR

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SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1458 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.24 EUR
117+	1.18 EUR
136+	0.98 EUR
250+	0.94 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 116

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SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V

auf Bestellung 832 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.5 EUR
10+	1.77 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1458 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.4 EUR
116+	1.2 EUR
117+	1.14 EUR
136+	0.94 EUR
250+	0.9 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 102

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SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS894DN-T1-E3

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS894DN-T1-GE3

auf Bestellung 25500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS900

auf Bestellung 11500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS900A2CN-F-D

auf Bestellung 11500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

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SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 4338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	0.95 EUR
153+	0.9 EUR
198+	0.67 EUR
250+	0.64 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 151

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SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 16758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
11+	1.63 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0167
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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SIS903DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 25880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SIS903DN-T1-GE3
Produktcode: 182732

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SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 4338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.23 EUR
151+	0.91 EUR
153+	0.87 EUR
198+	0.65 EUR
250+	0.61 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 117

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SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.64 EUR
9000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS9122DN-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 5380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.54 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.68 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS932EDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 1063 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS932EDN-T1-GE3

auf Bestellung 5405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS932EDN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 16011 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.57 EUR
10+	0.47 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.34 EUR
6000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2047 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2047 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS950

auf Bestellung 522 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS961

07+

auf Bestellung 1055 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS961

02+

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS961

BGA

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS961

auf Bestellung 8502 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS961A1CA

BGA

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS961A2EA-AB-1

BGA

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS961BOIA

BGA

auf Bestellung 122 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962

03+

auf Bestellung 1047 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962 A2 IA

BGA

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962A2

auf Bestellung 265 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962A2IA(CM02)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962L

08+ BGA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962L

BGA371

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962L

BGA

auf Bestellung 3325 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS962LRev:A2

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiS962LRev:C1

auf Bestellung 52 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962LU

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962LUA

0415+

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962LUA

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962LUA-C1

0348+

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962UA

04+

auf Bestellung 652 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962UA B1 OA

BGA

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS962UA B1 PA

BGA

auf Bestellung 457 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS963

2003

auf Bestellung 20 Stücke:

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SIS9634LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

auf Bestellung 2780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.85 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.22 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.88 EUR
3000+	0.75 EUR

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SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 17.9W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.88 EUR
6000+	0.84 EUR
9000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS9634LDN-T1-GE3

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SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

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SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 11930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SIS963A2IA-AB-1

BGA

auf Bestellung 300 Stücke:

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SIS963LUA

BGA

auf Bestellung 50 Stücke:

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SIS963LUA

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS963LUA

07+

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS963LUA

0502+

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS963LUA-C1

2006

auf Bestellung 88 Stücke:

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SIS963LUAC1

auf Bestellung 86 Stücke:

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SIS963LUAZ

07+

auf Bestellung 90 Stücke:

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SIS963LUAZC1

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS963UA

03+

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS963UA/B1

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS963UAA2IA-AB-1

BGA

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS963UAB1PA-B-1

2003

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964

06+

auf Bestellung 1160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS964

BGA

auf Bestellung 1056 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964 A2

03+

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964A2

auf Bestellung 2500 Stücke:

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SIS964A2GA

auf Bestellung 1691 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964A2GA-B-1

06+PB

auf Bestellung 10398 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964L

05+

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964L

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964L

09+

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964LA2G-A-B-1

BGA

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964Z

0601

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS964ZA2

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS965

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS965

SISI

0548+

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS965

09+

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS965/B1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS965B1

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS965B1FA-H-1

auf Bestellung 2022 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS965L

09+

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS965L

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS966

06+

auf Bestellung 123 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS966

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS966L

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS966Z(A1)

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS968

N/A

auf Bestellung 204 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS968BO

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS968BOAA

08+

auf Bestellung 784 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS9806

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 44012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.18 EUR
13+	1.37 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SIS990DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 17271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.8 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS990DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 14038 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR
15000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 27791 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIS990DN-T1-GE3

auf Bestellung 14038 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA01DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

auf Bestellung 18845 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.97 EUR
15+	1.24 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SISA01DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.47 EUR
9000+	0.45 EUR
15000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA01DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA01DN-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 20006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.71 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 639 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.38 EUR
109+	1.27 EUR
110+	1.21 EUR
134+	0.96 EUR
250+	0.9 EUR
500+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 104

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA04DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3

auf Bestellung 27099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.83 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.79 EUR
6000+	0.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 13797 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.5 EUR
11+	1.75 EUR
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500+	1.02 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SISA04DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2954 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.78 EUR
6000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

auf Bestellung 5770 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
13+	1.4 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISA10BDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30-V MSFT

auf Bestellung 11292 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SISA10DN

MOSFET

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SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SISA10DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

auf Bestellung 3943 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 5263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
11+	1.64 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

auf Bestellung 3447 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.9 EUR
15+	1.2 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISA12ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0043 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1873 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12ADN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3

auf Bestellung 17968 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

auf Bestellung 6024 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12BDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A

auf Bestellung 11411 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.3 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.56 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

auf Bestellung 6985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
18+	1.01 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5380µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5695 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.4 EUR
6000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA14BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5380µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5695 Stücke:

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SISA14BDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 21A

auf Bestellung 32124 Stücke:

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2+	1.64 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.41 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 98 Stücke:

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SISA14DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.42 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SISA14DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3

auf Bestellung 60580 Stücke:

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4+	0.86 EUR
10+	0.69 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.37 EUR
6000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SISA14DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V

auf Bestellung 13583 Stücke:

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10+	1.81 EUR
16+	1.14 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SISA16DN-T1-GE3

MOSFET N-Ch PowerPAK1212

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SISA16DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

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SISA16DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

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SISA18ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 9447 Stücke:

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SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

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SISA18ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.34 EUR

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SISA18ADN-T1-GE3
Produktcode: 117652

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SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISA18ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 9447 Stücke:

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SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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3000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISA18ADN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 43065 Stücke:

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4+	0.84 EUR
10+	0.54 EUR
100+	0.36 EUR
3000+	0.31 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SISA18ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

auf Bestellung 13611 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
19+	0.95 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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SISA18ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SISA18BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 11680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISA18BDN-T1-GE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 18A

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3+	1.29 EUR
10+	0.93 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR
3000+	0.4 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SISA18BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 36.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8PT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISA18BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 11680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA18BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 36.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8PT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V

auf Bestellung 5839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.71 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA18DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA18DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA18DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA24DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA24DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 1400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 24759 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA24DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA24DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 1400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 24759 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA24DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

auf Bestellung 3818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
14+	1.27 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA24DN-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.

auf Bestellung 4547 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.61 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA26DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 4083 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA26DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

auf Bestellung 2940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
13+	1.41 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA26DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA26DN-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 6000 Stücke:

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SISA26DN-T1-GE3

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SISA34DN-T1-GE3

MOSFET N-Ch PowerPAK1212 Bwl 30V 7.5ohm@10V

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SISA34DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

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SISA34DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

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SISA35DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SISA35DN-T1-GE3

P Channel MOSFET

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SISA35DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

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500+	0.31 EUR
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SISA35DN-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8

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SISA35DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SISA35DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

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6000+	0.21 EUR
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SISA40DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 43.7A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R

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SISA40DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V

auf Bestellung 57000 Stücke:

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3000+	0.52 EUR
6000+	0.48 EUR
9000+	0.46 EUR
15000+	0.45 EUR

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SISA40DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 28988 Stücke:

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3+	1.29 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SISA40DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 0.0011 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA40DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.7A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V

auf Bestellung 57336 Stücke:

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100+	0.84 EUR
500+	0.66 EUR
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SISA40DN-T1-GE3
Produktcode: 182307

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SISA66DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

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SISA66DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK 1212-8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA72ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 22940 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA72ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V

auf Bestellung 21039 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.95 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA72ADN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 10977 Stücke:

Lieferzeit 607-611 Tag (e)

3+	1.29 EUR
10+	1.14 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA72ADN-T1-GE3

auf Bestellung 22940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA72ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.5 EUR
6000+	0.46 EUR
9000+	0.44 EUR
15000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA72DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA72DN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 1094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA72DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

auf Bestellung 5424 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA72DN-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 134873 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.82 EUR
10+	0.69 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.59 EUR
9000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA88DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 0.0067 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 2616 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA88DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.25 EUR
15000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA88DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 104886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.28 EUR
6000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA88DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA88DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40.5 A, 0.0054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19.8W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISA88DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

auf Bestellung 33639 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1 EUR
24+	0.75 EUR
100+	0.53 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiSA96DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

auf Bestellung 11261 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.88 EUR
29+	0.62 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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SISA96DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA96DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 8800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 21754 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SiSA96DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SiSA96DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 74432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.84 EUR
10+	0.59 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.28 EUR
3000+	0.22 EUR
6000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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SISA96DN-T1-GE3

auf Bestellung 21754 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISB46DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISB46DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 2963 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.16 EUR
14+	1.35 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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SISB46DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SISB46DN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 27240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.39 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.62 EUR
6000+	0.6 EUR
9000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SISB46DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISB46DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

Produkt ist nicht verfügbar

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SISB46DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SISC03N06DX1SA1

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

Produkt ist nicht verfügbar

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SISC03N06E10X1SA1

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

Produkt ist nicht verfügbar

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SISC06DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 5780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.57 EUR
10+	1.41 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SISC06DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK

auf Bestellung 2415 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISC06DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISC097N24DX1SA1

MOSFET TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISC140N60DX1SA1

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISC185N06LX1SA1

Description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISC6,24P06

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

Produkt ist nicht verfügbar

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SISD4112LDN-T1-UE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.96 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.9 EUR
2500+	0.83 EUR
5000+	0.76 EUR

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SISD4402DN-T1-UE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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SISD4604LDN-T1-UE3

Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISD4604LDN-T1-UE3

Description: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISD4604LDN-T1-UE3

MOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 52A

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.04 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.95 EUR
2500+	0.88 EUR
5000+	0.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISD5110DN-T1-UE3

MOSFETs PWRPK 100V 55A

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.64 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.17 EUR
2500+	1.08 EUR
5000+	1.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISD5300DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISD5300DN-T1-GE3

auf Bestellung 5950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISD5300DN-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8F, 0.87 mohm a. 10V, 1.3 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 5665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.75 EUR
250+	1.6 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.32 EUR
3000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISD5806DN-T1-UE3

Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5992 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISD5806DN-T1-UE3

Description: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5992 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF00DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 12135 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.38 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF00DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR
6000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF00DN-T1-GE3

MOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

auf Bestellung 16022 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.2 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	1.01 EUR
3000+	0.97 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF02DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF02DN-T1-GE3

MOSFET COMMON-DRAIN DUAL N-CH 25V

auf Bestellung 6795 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.46 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.1 EUR
3000+	1.04 EUR
6000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF02DN-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
10+	2.29 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF02DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 1010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISF02DN-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

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SISF04DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.003ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.003ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISF04DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

auf Bestellung 11206 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.17 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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SISF04DN-T1-GE3

auf Bestellung 344 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISF04DN-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

auf Bestellung 5040 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
10+	1.81 EUR
100+	1.22 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.9 EUR
3000+	0.89 EUR

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SISF04DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.87 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISF06DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.78 EUR
6000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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SISF06DN-T1-GE3

MOSFETs Dual N-Ch 30V(S1-S2)

auf Bestellung 26058 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.6 EUR
10+	1.66 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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SISF06DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 3440 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3440µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3440µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 3734 Stücke:

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SISF06DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

auf Bestellung 13556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.89 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.22 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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SISF06DN-T1-GE3

auf Bestellung 3734 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SISF20DN

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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SISF20DN-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R

auf Bestellung 4380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

253+	0.57 EUR
347+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 253

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SISF20DN-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R

auf Bestellung 4380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

253+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 253

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SISF20DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF20DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF20DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Produkt ist nicht verfügbar

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SISF20DN-T1-GE3

MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

auf Bestellung 3592 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.59 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.71 EUR
3000+	1.2 EUR
6000+	1.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF54DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0031 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISF54DN-T1-GE3

Description: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 118A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD

Produkt ist nicht verfügbar

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SISF54DN-T1-GE3

MOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO

auf Bestellung 2930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.97 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.79 EUR
6000+	0.76 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISGM1040-284-LRT

Lantronix, Inc.

Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 12
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 4
SFP/XFP Type: SFP
SFP/XFP Ports: 4

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1477.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISGM1040-284-LRT

Lantronix

Ethernet Modules Managed Hardened Switch, (8) 10/100/1000Base-T, (4) 100/1000 SFP

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	1498.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH101DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

auf Bestellung 27399 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH101DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 9717 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR
17+	1.08 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH101DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH101DN-T1-GE3

auf Bestellung 27399 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH101DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.44 EUR
6000+	0.43 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH101DN-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH

auf Bestellung 57951 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.47 EUR
10+	1.06 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH101DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH103DN-T1-GE3

MOSFETs P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8SH, 8.9 mohm a. 10V, 15 mohm a. 4.5V

auf Bestellung 11053 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.7 EUR
10+	1.14 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.51 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH103DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 5850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SISH103DN-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V

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SISH103DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: To Be Advised

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SISH103DN-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V

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SISH106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V

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