SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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| 6000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 30A, Drain current: 12A, Drain-source voltage: 30V, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 12nC, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 10W, Case: PowerPAK® 1212-8, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIS822DNT-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIS822DNT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
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| SIS822DNT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 30A Drain current: 12A Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® 1212-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIS822DNT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIS822DNT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 30A Drain current: 12A Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 10W Case: PowerPAK® 1212-8 |
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