SISA40DN-T1-GE3
Produktcode: 182307
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote SISA40DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 3.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISA40DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 28988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SISA40DN-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 1100 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SISA40DN-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 28988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.54 EUR |
| 10+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 3000+ | 0.57 EUR |
| 6000+ | 0.54 EUR |
| SISA40DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 1100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: VISHAY - SISA40DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 162 A, 1100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 83+ | 3.02 EUR |
| 129+ | 1.81 EUR |
| 194+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |