SISD5110DN-T1-UE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
| 5000+ | 1.49 EUR |
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Technische Details SISD5110DN-T1-UE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 57W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.
Weitere Produktangebote SISD5110DN-T1-UE3 nach Preis ab 1.25 EUR bis 5.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SISD5110DN-T1-UE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs PWRPK 100V 55A |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISD5110DN-T1-UE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
auf Bestellung 6050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISD5110DN-T1-UE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs PWRPK 100V 55A
MOSFETs PWRPK 100V 55A
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 2500+ | 1.29 EUR |
| 5000+ | 1.25 EUR |
| SISD5110DN-T1-UE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
Description: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 44+ | 5.75 EUR |
| 69+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
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