SIS9122DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.89 EUR |
| 10+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 3000+ | 0.81 EUR |
| 6000+ | 0.74 EUR |
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Technische Details SIS9122DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 8A; 11.4W, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.7A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, On-state resistance: 167mΩ, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 11.4W, Gate charge: 6nC, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape.
Weitere Produktangebote SIS9122DN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS9122DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIS9122DN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 8A; 11.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.7A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 167mΩ Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 11.4W Gate charge: 6nC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIS9122DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS
Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| SIS9122DN-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 8A; 11.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 167mΩ
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 11.4W
Gate charge: 6nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 8A; 11.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 167mΩ
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 11.4W
Gate charge: 6nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
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