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SIS932EDN-T1-GE3 мосфет

Produktcode: 223360
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis932edn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix sis932edn.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 6534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis932edn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 4919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
50+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
184+1.26 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
184+1.26 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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SIS932EDN-T1-GE3 sis932edn.pdf
SIS932EDN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIS932EDN-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 6534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.76 EUR
10+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIS932EDN-T1-GE3 sis932edn.pdf
SIS932EDN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 4919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
50+0.81 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS932EDN-T1-GE3 VISH-S-A0011029507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS932EDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+2.19 EUR
184+1.26 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS932EDN-T1-GE3 VISH-S-A0011029507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS932EDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+2.19 EUR
184+1.26 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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Kurzhubtaste SMD 4.5x4.5, H3.8mm, KFC-045A-3.8
Produktcode: 209765
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KFC-045A.pdf
Kurzhubtaste SMD 4.5x4.5, H3.8mm, KFC-045A-3.8Kurzhubtaste SMD 4.5x4.5, H3.8mm, KFC-045A-3.8
Kurzhubtaste SMD 4.5x4.5, H3.8mm, KFC-045A-3.8Kurzhubtaste SMD 4.5x4.5, H3.8mm, KFC-045A-3.8
Hersteller: Daier
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: Kurzhubtasten
Bedrahtet/SMD: SMD
Abmessungen, mm: 4,5x4,5 мм
Tastenhöhe, mm: 3,8 мм
Beschreibung: Kurzhubtaste SMD. max. Spannung/Strom: 12VDC/50mA. Gesamthöhe der Taste: 3.8 mm. Betätigungskraft: 0.98N.
Kontakte: SPST-NO
Schaltfunktion: OFF-(ON)
auf Bestellung: 1214 St.
  • 1214 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.07 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.042 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
USB4125-GF-A-0190
Produktcode: 195400
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usb4125-spec.pdf
Steckverbinder, Reihenklemmen > USB
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 25 St.
  • 25 St. - erwartet 14.09.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Schraube mit Linsenkopf M2x22 (Edelstahl 304, PH, DIN 7985)
Produktcode: 194092
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Schraube mit Linsenkopf M2x22 (Edelstahl 304, PH, DIN 7985)
Verstärkungs- und Metallstangen > Schrauben
Beschreibung: Schraube mit Kreuzschlitz Schlitz "Phillips", Linsenkopf, ohne Beschichtung. Material: Edelstahl 304.
Länge, mm: 22
Gewinde: M2
Material: Edelstahl
Kopfform: Linsenkopf
Antrieb, Schlitz: Kreuzschlitz
auf Bestellung: 180 St.
  • 180 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.024 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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4,7uF 10V X7R 10% 0805 2k/reel (C0805B475K100N2-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 164998
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
mlcc-approval_20190116.pdf
4,7uF 10V X7R 10% 0805 2k/reel (C0805B475K100N2-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 4,7 мкФ
Nennspannung: 10 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung: 1525 St.
  • 1525 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.055 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PLS2-40R (KLS1-207B-1-40-R2)
Produktcode: 151422
5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
kls1-207b-datasheet.pdf
PLS2-40R (KLS1-207B-1-40-R2)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Funktionsbeschreibung: Stifte einreihig auf Platine abgewinkelt, 40 Kontakte 1x40, Rastermaß 2.0 mm, 1A
Stifte oder Buchsen: Stifte (Stecker)
Rastermaß: 2,00 мм
Anzahl Reihen: einreihig
Anzahl Kontakte: 40
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet
auf Bestellung: 87 St.
  • 87 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH