SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 65.7W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.
Weitere Produktangebote SISS04DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.73 EUR bis 4.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SISS04DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S |
auf Bestellung 3813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS04DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 65.7W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS04DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +16V, -12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S |
auf Bestellung 7317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SISS04DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 65.7W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 59 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SISS04DN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 2180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SISS04DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
auf Bestellung 3813 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.55 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| SISS04DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 59 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.59 EUR |
| SISS04DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.63 EUR |
| 10+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| SISS04DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SISS04DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 174+ | 1.01 EUR |
| 176+ | 0.96 EUR |
| 179+ | 0.92 EUR |
| 182+ | 0.87 EUR |
| 250+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |