SISS176LDN-T1-UE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.06 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 3000+ | 0.8 EUR |
| 6000+ | 0.67 EUR |
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Technische Details SISS176LDN-T1-UE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 42.3A, Mounting: SMD, Gate charge: 12.6nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 42.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 70V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, On-state resistance: 10.9mΩ.
Weitere Produktangebote SISS176LDN-T1-UE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS176LDN-T1-UE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 42.3A Mounting: SMD Gate charge: 12.6nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 42.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 70V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 On-state resistance: 10.9mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SISS176LDN-T1-UE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 42.3A
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 42.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 70V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 10.9mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 42.3A
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 42.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 70V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 10.9mΩ
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