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SISS5708DN-T1-BE3

SISS5708DN-T1-BE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 23 m 10V
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Technische Details SISS5708DN-T1-BE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 27A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 12.8nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 27A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 150V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23mΩ.

Weitere Produktangebote SISS5708DN-T1-BE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SISS5708DN-T1-BE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 27A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 27A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SISS5708DN-T1-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 27A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 27A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
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