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Technische Details SIZ998BDT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIZ998BDT-T1-GE3 nach Preis ab 0.57 EUR bis 1.50 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SIZ998BDT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SIZ998BDT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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| SIZ998BDT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
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| SIZ998BDT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
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SIZ998BDT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
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SIZ998BDT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
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SIZ998BDT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
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