SIZF660LDT-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 110A
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2600µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.32 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 1000+ | 2.38 EUR |
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Technische Details SIZF660LDT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 110A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIZF660LDT-T1-GE3 nach Preis ab 2.38 EUR bis 7.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIZF660LDT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 110A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIZF660LDT-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm
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Description: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2600µohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.57 EUR |
| 51+ | 4.57 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 1000+ | 2.38 EUR |