Produkte > Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule > SKIIP35NAB12T4V1 IGBT-Modul Semicron
SKIIP35NAB12T4V1 IGBT-Modul

SKIIP35NAB12T4V1 IGBT-Modul Semicron

skpiip35nab12t4v1.pdf
Produktcode: 108613
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Semicron
Gehäuse: 81,4x58,5x15,8 mm
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 69
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 56
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 60/370
verfügbar: 2 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Produktrezensionen
    Produktbewertung abgeben