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SKM200GB173D SKMIKON


Hersteller: SKMIKON

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Technische Details SKM200GB173D SKMIKON

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.7kV, Collector current: 150A, Case: SEMITRANS3, Version: D56, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Mechanical mounting: screw.

Weitere Produktangebote SKM200GB173D

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SKM200GB173D Semikron 1700 В, 150 А Силові IGBT-модулі
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SKM200GB173D Semikron skm200gb173d.pdf IGBT-модуль Силові IGBT-модулі
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SKM 200GB173D SKM 200GB173D SEMIKRON DANFOSS SKM200GB173D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: SEMITRANS3
Version: D56
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
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SKM200GB173D
Hersteller: Semikron
1700 В, 150 А Силові IGBT-модулі
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SKM200GB173D skm200gb173d.pdf
Hersteller: Semikron
IGBT-модуль Силові IGBT-модулі
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SKM 200GB173D
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: SEMITRANS3
Version: D56
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
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