SKM100GB125DN SEMIKRON DANFOSS
Hersteller: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: SEMITRANS2N
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Version: D93
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 185.61 EUR |
| 8+ | 171.69 EUR |
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Technische Details SKM100GB125DN SEMIKRON DANFOSS
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 100A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SKM100GB125DN nach Preis ab 171.69 EUR bis 185.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SKM100GB125DN | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 80A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 80A Case: SEMITRANS2N Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mechanical mounting: screw Version: D93 |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKM100GB125DN | Hersteller : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKM100GB125DN Produktcode: 42881
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Hersteller : Semikron |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: SEMITRANS® 2N |
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SKM100GB125DN | Hersteller : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 7-Pin Case D-93 |
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