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SKM100GB12T4

Produktcode: 83389
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details SKM100GB12T4

  • IGBT HALFBRIDGE MODULE 100A 1200V
  • Case Style:SEMITRANS 2
  • Termination Type:Screw

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Hersteller : SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Case: SEMITRANS2
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
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SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Hersteller : SEMIKRON Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Vrr, V: 1000 V
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Trr, ns: 75 ns
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fT: 14 MHz
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 700
Ic,A: 8
h21: 40
ZCODE: THT
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Gehäuse: SO-16
Typ: Gate drive
U-isol, kV: 3.7
I-ein/ I-ausg, mA: /2500
Ton/Toff, µs: 0.5/0.5
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
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description hcpl7800-000e.pdf
HCPL7800-000E
Hersteller: Avago
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Gehäuse: DIP-8
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Роб.темп.,°С: -40…+85°C
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