Technische Details SKM100GB12T4
- IGBT HALFBRIDGE MODULE 100A 1200V
- Case Style:SEMITRANS 2
- Termination Type:Screw
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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SKM100GB12T4 | Hersteller : SEMIKRON |
 Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SKM100GB12T4 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS | SKM100GB12T4 IGBT modules |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SKM100GB12T4 | Hersteller : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 7-Pin Case GB |
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| SKD82/16 Produktcode: 38087
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| 1N4744A Produktcode: 25622
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 17mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 17mA
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Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C
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266 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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