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SKM100GB12T4

Produktcode: 83389
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details SKM100GB12T4

  • IGBT HALFBRIDGE MODULE 100A 1200V
  • Case Style:SEMITRANS 2
  • Termination Type:Screw

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12T4.pdf description Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
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SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 SEMIKRON SEMI-S-A0002552663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SKM100GB12T4 description SKM100GB12T4.pdf
SKM100GB12T4
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
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SKM100GB12T4 description SEMI-S-A0002552663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM100GB12T4
Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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HER608
Produktcode: 112398
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her601-355474.pdf
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: D6
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 6 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Montage: THT
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VS-36MB160A
Produktcode: 48496
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vs-mbhv.pdf
VS-36MB160A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Produkt ist nicht verfügbar
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MJE13007 (MJE13007G) (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 38055
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MJE13007 (MJE13007G) (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 14 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 8 А
h21: 40
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+1.78 EUR
    10+1.18 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HCPL316J-500E (SOIC16)
    Produktcode: 37771
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    		hcpl316j.pdf
    HCPL316J-500E (SOIC16)
    Hersteller: Avago
    IC > Optokoppler (Optrone)
    Gehause: SO-16
    Typ: -
    Isolationsspannung U-isol, kV: 3,7 kV
    Strom ein/aus I-ein/I-aus, mA: /2500 mA
    Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
    Betriebstemperatur, °C: -40…+100°C
    auf Bestellung 31 St.:
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    AnzahlPrivatkunde
    1+4.19 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HCPL7800-000E
    Produktcode: 25874
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    		description hcpl7800-000e.pdf
    HCPL7800-000E
    Hersteller: Avago
    IC > Optokoppler (Optrone)
    Gehause: DIP-8
    Typ: -
    Betriebstemperatur, °C: -40…+85°C
    Produkt ist nicht verfügbar
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    1+13.33 EUR
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