SKM100GB12T4


Produktcode: 83389
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details SKM100GB12T4

  • IGBT HALFBRIDGE MODULE 100A 1200V
  • Case Style:SEMITRANS 2
  • Termination Type:Screw

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Hersteller : Semikron 185241824862693185226350351508semikron_datasheet_skm100gb12t4_22892020.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 7-Pin Case GB
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SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Hersteller : SEMIKRON SEMI-S-A0002552663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Hersteller : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59492B1F7CEFD6469&compId=SKM100GB12T4.pdf?ci_sign=07f870a302f890688dee46415ec18eb2d70308ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Hersteller : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59492B1F7CEFD6469&compId=SKM100GB12T4.pdf?ci_sign=07f870a302f890688dee46415ec18eb2d70308ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mechanical mounting: screw
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1N4744A
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 17mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C
verfügbar: 201 Stück
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