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SKM195GB066D

Produktcode: 216816
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SKM195GB066D SKM195GB066D SEMIKRON DANFOSS SKM195GB066D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SEMITRANS2
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.4kA
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SKM195GB066D SKM195GB066D SEMIKRON SEMI-S-A0002552472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 265A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 265A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8 Stücke:
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SKM195GB066D SKM195GB066D.pdf
SKM195GB066D
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SEMITRANS2
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.4kA
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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SKM195GB066D SEMI-S-A0002552472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM195GB066D
Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 265A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 265A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8 Stücke:
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