SKM200GB12T4


Produktcode: 177189
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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SKM200GB12T4 SKM200GB12T4 Hersteller : Semikron 186034720868569186022365014906semikron_datasheet_skm200gb12f4_skm200gb.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 313A 7-Pin
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SKM200GB12T4 SKM200GB12T4 Hersteller : SEMIKRON Description: SEMIKRON - SKM200GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 313A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 313A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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