SKM300GB12V SEMIKRON
Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM300GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 420 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 420A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 420A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 723.23 EUR |
| 5+ | 642.34 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SKM300GB12V SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM300GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 420 A, 1.85 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: V-IGBT, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 420A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 420A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SKM300GB12V
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| SKM300GB12V | Semikron |
Силові IGBT-модулі |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
SKM300GB12V 22892073 | SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 319A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 319A Case: SEMITRANS3 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1548A Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SKM300GB12V |
![]() |
Hersteller: Semikron
Силові IGBT-модулі
Силові IGBT-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SKM300GB12V 22892073 |
![]() |
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 319A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 319A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1548A
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 319A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 319A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1548A
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


