SKM75GB12T4 SEMIKRON DANFOSS
Hersteller: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 88A
Pulsed collector current: 430A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 90.35 EUR |
| 8+ | 86.87 EUR |
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Technische Details SKM75GB12T4 SEMIKRON DANFOSS
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 115A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 115A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SKM75GB12T4 nach Preis ab 86.87 EUR bis 90.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SKM75GB12T4 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Case: SEMITRANS2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 88A Pulsed collector current: 430A Max. off-state voltage: 1.2kV Topology: IGBT half-bridge |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKM75GB12T4 | Hersteller : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 115A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 115A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKM75GB12T4 Produktcode: 101721
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule ZCODE: 8541290010 |
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SKM75GB12T4 | Hersteller : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 115A 7-Pin Case GB |
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