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SKM75GB12T4

Produktcode: 101721
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Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SKM75GB12T4 SKM75GB12T4 SEMIKRON DANFOSS SKM75GB12T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 88A
Pulsed collector current: 430A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SKM75GB12T4 SKM75GB12T4 SEMIKRON SEMI-S-A0004637913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SKM75GB12T4 SKM75GB12T4.pdf
SKM75GB12T4
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 88A
Pulsed collector current: 430A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+95.41 EUR
8+88.98 EUR
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SKM75GB12T4 SEMI-S-A0004637913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM75GB12T4
Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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