SKM75GB12T4
Produktcode: 101721
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
ZCODE: 8541290010
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote SKM75GB12T4 nach Preis ab 73.87 EUR bis 79.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SKM75GB12T4 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: SEMITRANS2 Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 88A Pulsed collector current: 430A Max. off-state voltage: 1.2kV |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
|
SKM75GB12T4 | Hersteller : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 115A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 115A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| SKM75GB12T4 | Hersteller : Semikron |
IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |


