SKM800GA176D
Produktcode: 61265
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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SKM800GA176D | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 830A Produktpalette: SEMITRANS 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 830A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SKM800GA176D |
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Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 830A
Produktpalette: SEMITRANS 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 830A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 830A
Produktpalette: SEMITRANS 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 830A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 943.15 EUR |
| 5+ | 837.65 EUR |


