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SKM800GA176D

Produktcode: 61265
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SKM800GA176D SKM800GA176D Hersteller : SEMIKRON SEMI-S-A0002551334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 830A
Produktpalette: SEMITRANS 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 830A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SKM800GA176D Hersteller : Semikron IGBT MODULE 1700V Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
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SKM800GA176D Hersteller : Semikron Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
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