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SKP02N60XKSA1

SKP02N60XKSA1 Infineon Technologies

639skp02n60_rev2_3g.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941filei.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details SKP02N60XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT 600V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 130 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns, Switching Energy: 64µJ, Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V, Gate Charge: 14 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 30 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SKP02N60XKSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS27338-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fundamentals-of-power-semiconductors Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SKP02N60XKSA1 - SKP02N60 - FAST IGBT IN NPT-TECHNOLOGY
tariffCode: 85412900
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productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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SKP02N60XKSA1 SKP02N60XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies INFNS27338-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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SKP02N60XKSA1 SKP02N60XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 64µJ
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
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