SKW25N120FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SKW25N120FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 46A 313W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/730ns, Switching Energy: 3.7mJ, Test Condition: 800V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 46 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A, Power - Max: 313 W.
Weitere Produktangebote SKW25N120FKSA1 nach Preis ab 16.48 EUR bis 16.48 EUR
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SKW25N120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SKW25N120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| SKW25N120FKSA1 | Hersteller : Infineon |
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SKW25N120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 46A 313W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 45ns/730ns Switching Energy: 3.7mJ Test Condition: 800V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 46 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A Power - Max: 313 W |
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| SKW25N120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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