SM8S17AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Hersteller: Vishay General SemiconductorESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,17V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SM8S17AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: VISHAY - SM8S17AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S Series, Unidirektional, 17 V, 27.6 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-218AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 18.9V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 20.9V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 17V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PAR SM8S Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 27.6V, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote SM8S17AHE3_A/I nach Preis ab 3.23 EUR bis 4.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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SM8S17AHE3_A/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO218AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 239A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 18.9V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SM8S17AHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SM8S17AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S Series, Unidirektional, 17 V, 27.6 V, DO-218AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 18.9V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 20.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR SM8S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 27.6V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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SM8S17AHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SM8S17AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S Series, Unidirektional, 17 V, 27.6 V, DO-218AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 18.9V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 20.9V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR SM8S Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 27.6V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SM8S17AHE3_A/I Produktcode: 182606
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Lieblingsprodukt
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive) |
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SM8S17AHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
TVS Diode Single Uni-Dir 17V 6.6KW Automotive AEC-Q101 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
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SM8S17AHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
TVS Diode Single Uni-Dir 17V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
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SM8S17AHE3_A/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO218AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 239A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 18.9V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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