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SM8S33AHM3/I

SM8S33AHM3/I Vishay General Semiconductor


Hersteller: Vishay General Semiconductor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,33V 5%,SMD PAR
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Technische Details SM8S33AHM3/I Vishay General Semiconductor

Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 6.6kW, Max. off-state voltage: 33V, Breakdown voltage: 36.7V, Max. forward impulse current: 124A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO218AB, Mounting: SMD, Leakage current: 10µA, Technology: PAR®, Application: automotive industry, Kind of package: 13 inch reel; tape, Manufacturer series: SM8S.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SM8S33AHM3/I SM8S33AHM3/I VISHAY Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Kind of package: 13 inch reel; tape
Manufacturer series: SM8S
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SM8S33AHM3/I SM8S33AHM3/I Vishay sm8s10ahm3thrusm8s43ahm3.pdf Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors Automotive AEC-Q101
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SM8S33AHM3/I
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Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Technology: PAR®
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Kind of package: 13 inch reel; tape
Manufacturer series: SM8S
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