SMA6J10CA-TR STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: TVS DIODE 10VWM 19.6VC SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 184A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SMA6J10CA-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SMA6J10CA-TR - TVS-Diode, Transil SMA6J, Bidirektional, 10 V, 15.7 V, SMD, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 11.1V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 12.3V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 10V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 600W, TVS-Polarität: Bidirektional, Anzahl der Pins: 2Pins, Produktpalette: Transil SMA6J, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 15.7V.
Weitere Produktangebote SMA6J10CA-TR nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SMA6J10CA-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TVS DIODE 10VWM 19.6VC SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 184A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.6V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No |
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SMA6J10CA-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
ESD Suppressors / TVS Diodes HJ Temp Transil |
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SMA6J10CA-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SMA6J10CA-TR - TVS-Diode, Transil SMA6J, Bidirektional, 10 V, 15.7 V, SMD, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 12.3V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 10V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: Transil SMA6J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 15.7V |
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SMA6J10CA-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SMA6J10CA-TR - TVS-Diode, Transil SMA6J, Bidirektional, 10 V, 15.7 V, SMD, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 12.3V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 10V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: Transil SMA6J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 15.7V |
auf Bestellung 9435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMA6J10CA-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 117V; 3.8A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SMA Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 1µA Breakdown voltage: 117V Max. forward impulse current: 3.8A Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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SMA6J10CA-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 117V; 3.8A; bidirectional; SMA; reel,tape Type of diode: TVS Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SMA Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 1µA Breakdown voltage: 117V Max. forward impulse current: 3.8A Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 100V |
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