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SMBJ12AHE3_B/I

SMBJ12AHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

smbj.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SMBJ12AHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 13.3V; 30.2A; unidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 12V, Breakdown voltage: 13.3V, Max. forward impulse current: 30.2A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO214AA; SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 5µA, Manufacturer series: SMBJ, Technology: TransZorb®, Features of semiconductor devices: glass passivated, Application: automotive industry, Kind of package: 13 inch reel; tape.

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Description: Diode: TVS; 600W; 13.3V; 30.2A; unidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: 13 inch reel; tape
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Peak pulse power dissipation: 0.6kW
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