SMBJ33AHE3_B/I Vishay General Semiconductor


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Hersteller: Vishay General Semiconductor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes Vishay
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Technische Details SMBJ33AHE3_B/I Vishay General Semiconductor

Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: Telecom, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 36.7V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SMBJ33AHE3_B/I nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SMBJ33AHE3_B/I SMBJ33AHE3_B/I Vishay Semiconductors smbj.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 600W,33V 5%,UNIDIR,SMB TVS
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