SMBJ33AHE3_B/I Vishay General Semiconductor
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Technische Details SMBJ33AHE3_B/I Vishay General Semiconductor
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: Telecom, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 36.7V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SMBJ33AHE3_B/I
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SMBJ33AHE3_B/I | Hersteller : Vishay |
 Diode TVS Single Uni-Dir 33V 600W Automotive AEC-Q101 2-Pin SMB T/R |
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| SMBJ33AHE3_B/I | Hersteller : Vishay |
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R |
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SMBJ33AHE3_B/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Telecom Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 36.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| SMBJ33AHE3_B/I | Hersteller : Vishay |
ESD Suppressors / TVS Diodes Vishay |
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| SMBJ33AHE3_B\I | Hersteller : Vishay | 600W,33V 5%,UNIDIR,SMB TVS |
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