SMBJ58CAE3/TR13 Microchip Technology
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Technische Details SMBJ58CAE3/TR13 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMBJ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.4A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 64.4V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote SMBJ58CAE3/TR13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SMBJ58CAE3/TR13 | Hersteller : Microchip Technology |
 Diode TVS Single Bi-Dir 58V 600W 2-Pin SMB T/R |
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| SMBJ58CAE3/TR13 | Hersteller : MICROSEMI |
SMBJTRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR SMBJ58 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SMBJ58CAE3/TR13 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMBJ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.4A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 64.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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SMBJ58CAE3/TR13 | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 600W, Stand-off voltage = 58V, +/- 5%, Bi-dir |
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