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SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Name: SMBT2222AE6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 13532059-5
Price: 136.52 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SMBT2222AE6327HTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

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SMBT2222AE6327HTSA1

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smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f

Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW

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75000+	0.06 EUR
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1518+	0.10 EUR
1662+	0.09 EUR
1832+	0.08 EUR
2045+	0.07 EUR
3000+	0.06 EUR
6000+	0.05 EUR
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3000+	0.05 EUR
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Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_SMBT2222A_MMBT2222A_DS_v01_01_en-1732137.pdf

Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A

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1000+	0.10 EUR
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SMBT2222AE6327HTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW

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Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Hersteller : Infineon Technologies

Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Icutoff-max = 10 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,33; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3

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SMBT2222AE6327HTSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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