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SMBT 2907A E6327

SMBT 2907A E6327 Infineon Technologies

smbt2907a-51806.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A
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Technische Details SMBT 2907A E6327 Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 330 mW.

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SMBT2907AE6327 SMBT2907AE6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS10708-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 330 mW
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