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SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


SMBT2907AE6327.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.6A
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AnzahlPrivatkunde
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426+0.2 EUR
562+0.15 EUR
781+0.11 EUR
942+0.09 EUR
1073+0.08 EUR
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Technische Details SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 330 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SMBT2907AE-6327
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SMBT2907A-E6327 INF
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SMBT 2907A E6327 Infineon
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