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SMBTA 06 E6327

SMBTA 06 E6327 Infineon Technologies

Infineon_SMBTA06_MMBTA06_DS_v01_01_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN 80 V 500 mA
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Technische Details SMBTA 06 E6327 Infineon Technologies

Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ Ic = 100 mA, Vce = 1 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -65...150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SMBTA06-E6327
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SMBTA06 E6327 INFINEON
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SMBTA 06 E6327 Infineon Technologies Infineon-SMBTA06_MMBTA06-DS-v01_01-en.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ Ic = 100 mA, Vce = 1 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,3 Вт, Тексп, °C = -65...150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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