SMBTA06E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SMBTA06E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 80V 0.5A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote SMBTA06E6327HTSA1 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SMBTA06E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMBTA06E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 330 mW |
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SMBTA06E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 330 mW |
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SMBTA06E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80 V 500 mA |
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