SMBTA06UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN/PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
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Technische Details SMBTA06UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 330mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-74, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 330mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN/PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R |
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.33W Case: SC74 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.33W Case: SC74 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN/PNP 80V 500MA PG-SC74 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 330mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SC74-6 Part Status: Last Time Buy |
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 330mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 330mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 330mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 330mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN/PNP 80V 500mA 330mW 100MHz SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327 Infineon TSMBTA06upn Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN/PNP 80V 0.5A 330mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R |
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Trans GP BJT NPN/PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R |
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN/PNP 80V 500MA PG-SC74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 330mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SC74-6 Part Status: Last Time Buy |
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SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN / PNP Silicon AF TRANSISTOR ARRAY |
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