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SMBTA42E6327HTSA1

SMBTA42E6327HTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 300V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 360 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
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Technische Details SMBTA42E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SMBTA42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 70MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SMBTA42E6327HTSA1 nach Preis ab 0.099 EUR bis 1.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA42.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
auf Bestellung 6128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.5 EUR
182+0.39 EUR
211+0.34 EUR
304+0.24 EUR
353+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 Infineon Technologies smbta42_mmbta42.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449bfc5760237 Description: TRANS NPN 300V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 360 mW
auf Bestellung 10821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
41+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-SMBTA42_MMBTA42-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 300 V 500 mA
auf Bestellung 13689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+0.85 EUR
100+0.54 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON 1836010.pdf Description: INFINEON - SMBTA42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 41905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON 1836010.pdf Description: INFINEON - SMBTA42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 41905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1 Infineon smbta42_mmbta42.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449bfc5760237 NPN 300V 500mA 360mW SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327 SMBTA42 TSMBTA42
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
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AnzahlPreis
143+0.5 EUR
182+0.39 EUR
211+0.34 EUR
304+0.24 EUR
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500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
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6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 300V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 360 mW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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41+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN 300 V 500 mA
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3+1.21 EUR
10+0.85 EUR
100+0.54 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1 1836010.pdf
SMBTA42E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SMBTA42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: AEC-Q101
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 41905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SMBTA42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 41905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SMBTA42E6327HTSA1 smbta42_mmbta42.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449bfc5760237
Hersteller: Infineon
NPN 300V 500mA 360mW SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327 SMBTA42 TSMBTA42
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH