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SMBTA56E6327

SMBTA56E6327 Infineon Technologies

INFNS11460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
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Technische Details SMBTA56E6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 330 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SMBTA 56 E6327 SMBTA 56 E6327 Infineon Technologies smbta56_mmbta56.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A
auf Bestellung 5259 Stücke:
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10+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.14 EUR
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SMBTA56E6327 Infineon INFNS11460-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 500мА, 330мВт, SOT23 Транзистори
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SMBTA56 E6327 INFINEON
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SMBTA 56 E6327 Infineon Technologies smbta56_mmbta56_infineon.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 76 Stücke:
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Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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