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SMBTA56E6327HTSA1

SMBTA56E6327HTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 80V 0.5A PG-SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
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Technische Details SMBTA56E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 80V 0.5A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 330 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SMBTA56E6327HTSA1 SMBTA56E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_SMBTA56_MMBTA56_DS_v01_01_en.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A
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Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A
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Hersteller: Infineon
PNP 80V 0.5A 330mW 100MHz SMBTA56E6327HTSA1 SMBTA56E6327 Infineon TSMBTA56
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