SMBTA56E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SMBTA56E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 330 mW.
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SMBTA56E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMBTA56E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 330 mW |
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Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMBTA56E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A |
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Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMBTA56E6327HTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SMBTA56E6327HTSA1 - SMBTA56 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| SMBTA56E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
PNP 80V 0.5A 330mW 100MHz SMBTA56E6327HTSA1 SMBTA56E6327 Infineon TSMBTA56 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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SMBTA56E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SMBTA56E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 330 mW |
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SMBTA56E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 330 mW |
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