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SMBTA 92 E6327

SMBTA 92 E6327 Infineon Technologies

smbta92-mmbta92-48316.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 300V 0.5A
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Technische Details SMBTA 92 E6327 Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 360 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SMBTA92E6327 Hersteller : Siemens Wireless Modules INFNS10822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 360mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SMBTA92E6327 SMBTA92E6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS10822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 360 mW
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