SMF12A-E3-18 Vishay General Semiconductor
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Technische Details SMF12A-E3-18 Vishay General Semiconductor
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Capacitance @ Frequency: 483pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.1A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 13.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V, Power - Peak Pulse: 200W, Power Line Protection: No.
Weitere Produktangebote SMF12A-E3-18
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SMF12A-E3-18 | Hersteller : Vishay |
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SMF12A-E3-18 | Hersteller : Vishay |
ESD Suppressor TVS Uni-Dir 12V 2-Pin SMF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SMF12A-E3-18 | Hersteller : Vishay |
ESD Suppressor Diode TVS Uni-Dir 12V 2-Pin SMF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SMF12A-E3-18 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 483pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V Power - Peak Pulse: 200W Power Line Protection: No |
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