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SMMBF4393LT1G

SMMBF4393LT1G onsemi


mmbf4391lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details SMMBF4393LT1G onsemi

Description: JFET N-CH 30V SOT23-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS), FET Type: N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 225 mW, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA, Resistance - RDS(On): 100 Ohms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SMMBF4393LT1G SMMBF4393LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+0.86 EUR
133+0.54 EUR
208+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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SMMBF4393LT1G SMMBF4393LT1G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 225 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
26+0.7 EUR
100+0.51 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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SMMBF4393LT1G SMMBF4393LT1G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf JFETs SS SOT23 JFET NCH 30V TR
auf Bestellung 5814 Stücke:
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3+1.38 EUR
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100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
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Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 225 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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