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SMMBT2222ALT3G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SMMBT2222ALT3G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.

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SMMBT2222ALT3G SMMBT2222ALT3G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT2222ALT3G SMMBT2222ALT3G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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SMMBT2222ALT3G SMMBT2222ALT3G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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SMMBT2222ALT3G On Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Транзистори
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Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
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