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SMMBT3904LT3G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SMMBT3904LT3G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 300 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SMMBT3904LT3G SMMBT3904LT3G ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT3904LT3G SMMBT3904LT3G onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SMMBT3904LT3G SMMBT3904LT3G ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT3904LT3G SMMBT3904LT3G onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR SPCL TR
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SMMBT3904LT3G SMMBT3904LT3G onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
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Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
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