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SMMBT3906LT1G

SMMBT3906LT1G ON Semiconductor

mmbt3906lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SMMBT3906LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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3000+0.061 EUR
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SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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10+0.31 EUR
17+0.18 EUR
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SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G ONSEMI ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G ONSEMI ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 30748 Stücke:
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SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G ONSEMI mmbt3906lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
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SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBT3906LT1G SMMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9866 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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5618+0.032 EUR
6061+0.029 EUR
6536+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 5236 Stücke
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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6061+0.024 EUR
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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17+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
110+0.19 EUR
180+0.12 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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SMMBT3906LT1G ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMMBT3906LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 30748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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2500+0.086 EUR
2882+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 30748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
681+0.37 EUR
1227+0.19 EUR
1829+0.12 EUR
2500+0.086 EUR
2882+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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SMMBT3906LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 8997 Stücke:
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SMMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
SMMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
SMMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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