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SMMBT3906WT1G

SMMBT3906WT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SMMBT3906WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SMMBT3906WT1G SMMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
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SMMBT3906WT1G SMMBT3906WT1G ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBT3906WT1G SMMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 40V
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SMMBT3906WT1G SMMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
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SMMBT3906WT1G SMMBT3906WT1G ONSEMI 2160719.pdf Description: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SMMBT3906WT1G SMMBT3906WT1G ONSEMI 2160719.pdf Description: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SMMBT3906WT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
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SMMBT3906WT1G
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Hersteller: ON Semiconductor
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1343+0.12 EUR
1417+0.11 EUR
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SMMBT3906WT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 40V
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.14 EUR
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1000+0.092 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SMMBT3906WT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
auf Bestellung 68291 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
53+0.39 EUR
87+0.24 EUR
142+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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SMMBT3906WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
547+0.45 EUR
893+0.26 EUR
1513+0.14 EUR
1985+0.11 EUR
2258+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 547 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SMMBT3906WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 23800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
524+0.48 EUR
893+0.26 EUR
1395+0.15 EUR
1938+0.11 EUR
2179+0.099 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH