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SMMBT5401LT1G

SMMBT5401LT1G ON Semiconductor

mmbt5401lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SMMBT5401LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0004902386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0004902386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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SMMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0004902386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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SMMBT5401LT1G SMMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SMMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SMMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
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