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SMMBTA06LT1G ON Semiconductor

Name: SMMBTA06LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 37159417-5
Price: 1320.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 180000 Stücke:

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Technische Details SMMBTA06LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote SMMBTA06LT1G nach Preis ab 0.037 EUR bis 0.4 EUR

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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3000+	0.057 EUR
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12000+	0.046 EUR
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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

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3000+	0.058 EUR
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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

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SMMBTA06LT1G

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

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auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.068 EUR
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SMMBTA06LT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW

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3000+	0.082 EUR

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

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1713+	0.084 EUR
1734+	0.08 EUR
2353+	0.057 EUR
2404+	0.054 EUR
3000+	0.051 EUR
6000+	0.047 EUR

Mindestbestellmenge: 1713

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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673+	0.21 EUR
1120+	0.12 EUR
1713+	0.075 EUR
1734+	0.071 EUR
2353+	0.05 EUR
2404+	0.047 EUR
3000+	0.046 EUR
6000+	0.045 EUR

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 5130 Stücke:

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Anzahl	Preis
250+	0.29 EUR
353+	0.2 EUR
385+	0.19 EUR
508+	0.14 EUR
597+	0.12 EUR
910+	0.079 EUR
962+	0.074 EUR

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

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250+	0.29 EUR
353+	0.2 EUR
385+	0.19 EUR
508+	0.14 EUR
597+	0.12 EUR
910+	0.079 EUR
962+	0.074 EUR
1000+	0.073 EUR
3000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR

auf Bestellung 19704 Stücke:

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8+	0.39 EUR
13+	0.22 EUR
100+	0.15 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.1 EUR
3000+	0.088 EUR
6000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW

auf Bestellung 4315 Stücke:

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44+	0.4 EUR
72+	0.24 EUR
116+	0.15 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 44

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 15541 Stücke:

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 16346 Stücke:

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1019 Stücke:

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SMMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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