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SMMBTA42LT1G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SMMBTA42LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 225 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SMMBTA42LT1G SMMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBTA42LT1G SMMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
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SMMBTA42LT1G SMMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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SMMBTA42LT1G SMMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
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SMMBTA42LT1G SMMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
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SMMBTA42LT1G SMMBTA42LT1G ONSEMI mmbta42lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Current gain: 40
Frequency: 50MHz
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Hersteller: ON Semiconductor
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SMMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
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Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
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